| 2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 徐国栋,朱丽军,兰盛昌.2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计[J].半导体技术,2007,32(1):62-64,81. |
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| 作者姓名： | 徐国栋 朱丽军 兰盛昌 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学卫星技术研究所,哈尔滨,150080;哈尔滨工业大学卫星技术研究所,哈尔滨,150080;哈尔滨工业大学卫星技术研究所,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一.首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18 μm CMOS工艺给出了工作在2.45 GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性.
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 功率放大器 射频 集成电路 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）01-0062-03 |
| 修稿时间： | 2006-03-15 |
Design of 2.45 GHz Fully Integrated CMOS Power Amplifier |
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| XU Guo-dong,ZHU Li-jun,LAN Sheng-chang.Design of 2.45 GHz Fully Integrated CMOS Power Amplifier[J].Semiconductor Technology,2007,32(1):62-64,81. |
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| Authors: | XU Guo-dong ZHU Li-jun LAN Sheng-chang |
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| Institution: | Research Institute of Satellite Technology, Harbin University of Technology, Harbin 150080, China |
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| Abstract: | In the RF receiver function, the integration of CMOS power amplifier remains a difficult challenge. The switching mode power amplifier and the physical principles for achieving high efficiency were presented, and a fully integrated two-stage 2.45 GHz power amplifier was designed by 0.18 tan CMOS technologies. The validity was proved by using the Agilent ADSTM . |
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| Keywords: | CMOS power amplifier RF IC |
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