首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
三维MOSFET器件的数值分析
作者姓名:
王泽毅
吴启明
陈大同
作者单位:
清华大学,清华大学,清华大学
摘 要:
近年来,随着大规模、超大规模集成电路的迅速发展,集成度越来越高,器件尺寸也越来越小.在集成电路CAD及半导体器件物理研究中,为了更全面.更精确地了解器件的各种宏观特性及微观过程,必须采用二维及三维数值模拟.七十年代初,国外开始报道有关二维
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号