|
|||||
|
|
| 三维MOSFET器件的数值分析 | |
| 引用本文： | 王泽毅,吴启明,陈大同.三维MOSFET器件的数值分析[J].应用数学与计算数学学报,1988(1). |
| 作者姓名： | 王泽毅 吴启明 陈大同 |
| 作者单位： | 清华大学，清华大学，清华大学 |
| 摘 要： | 近年来,随着大规模、超大规模集成电路的迅速发展,集成度越来越高,器件尺寸也越来越小.在集成电路CAD及半导体器件物理研究中,为了更全面.更精确地了解器件的各种宏观特性及微观过程,必须采用二维及三维数值模拟.七十年代初,国外开始报道有关二维 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |