| VHF-PFLWD法制备μc-SiGe薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 敦亚琳.VHF-PFLWD法制备μc-SiGe薄膜的研究[J].光电子．激光,2011(3):382-386. |
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| 作者姓名： | 敦亚琳 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室； 河北工业大学信息功能材料研究所； |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划资助项目(2009AA05Z422);;国家重点基础研究发展规划“973”资助项目(2006CB202602,2006CB202603);;天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(08JCZDJC22200) |
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| 摘 要： | 分别以Si2 H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜.用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究.结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用...
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| 关 键 词： | μc-SiGe薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) Raman光谱 原子力显微镜(AFM) |
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