| CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进 |
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| 引用本文： | 王小元,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇,樊龙,杨辉,刘光耀.CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进[J].人工晶体学报,2012,41(5):1163-1167. |
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| 作者姓名： | 王小元 朱世富 赵北君 陈宝军 何知宇 樊龙 杨辉 刘光耀 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 摘 要： | 以高纯(6N) Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶.X射线衍射(XRD)分析及Rietveld全谱拟合精修结果表明合成产物中含有微量SiP和CdP2杂相,分析了杂相产生的原因.针对存在的问题改进合成工艺,引入高温熔体机械和温度振荡以及分步控温冷却等新工艺,获得了外观完整、内部致密均匀的CdSiP2多晶.XRD及能量色散谱仪(EDS)分析结果表明,合成产物为高纯单相CdSiP2多晶,为高质量单晶体的生长奠定了可靠基础.以改进工艺获得的CdSiP2多晶为原料生长出质量较好的单晶体,厚度为2mm的晶片样品在1500 ～ 7000 cm-1范围内的红外透过率在45;以上,计算出晶体的禁带宽度为2.09 eV.
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| 关 键 词： | CdSiP2 多晶合成 红外透过率 |
Analysis on Impurity Phase and Synthesis Process Improvement of Polycrystalline CdSiP2 |
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| WANG Xiao-yuan
,
ZHU Shi-fu
,
ZHAO Bei-jun
,
CHEN Bao-jun
,
HE Zhi-yu
,
FAN Long
,
YANG Hui
,
LIU Guang-yao.Analysis on Impurity Phase and Synthesis Process Improvement of Polycrystalline CdSiP2[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(5):1163-1167. |
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| Authors: | WANG Xiao-yuan ZHU Shi-fu ZHAO Bei-jun CHEN Bao-jun HE Zhi-yu FAN Long YANG Hui LIU Guang-yao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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