| 不同半导体材料构成光子晶体在太赫兹波段能态密度特性 |
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| 引用本文： | 邴丕彬,闫昕.不同半导体材料构成光子晶体在太赫兹波段能态密度特性[J].人工晶体学报,2012,41(5):1362-1365. |
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| 作者姓名： | 邴丕彬 闫昕 |
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| 作者单位： | 华北水利水电学院电力学院,郑州,450011;枣庄学院光电工程学院,枣庄,277160 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)，山东省2011年高等学校科技计划项目，枣庄市科学技术发展计划项目，山东省2012高等学校科技计划项目 |
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| 摘 要： | 基于平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料构成二维三角晶格光子晶体在太赫兹波段的能态密度特性,数值模拟得到Ⅳ族SiC在填充率f=0.8时形成0.037 THz带隙宽度,Ⅱ-Ⅵ族ZnO在填充率f=0.73时形成0.0417 THz带隙宽度,不同填充率情况下Ⅲ-Ⅴ族半导体材料形成0.027 THz带隙宽度,比较数据Ⅱ-Ⅵ族半导体材料形成较宽的带隙,研究结果为太赫兹光子晶体器件的开发提供了理论依据.
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| 关 键 词： | 光子晶体 平面波展开法 带隙特性 |
State Density Properties of Photonic Crystal Composited by Different Semiconductor Material in Terahertz Band |
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| BING Pi-bin
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YAN Xin.State Density Properties of Photonic Crystal Composited by Different Semiconductor Material in Terahertz Band[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(5):1362-1365. |
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| Authors: | BING Pi-bin YAN Xin |
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| Keywords: | |
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