| 温度对快速热退火制备多晶硅薄膜结构与电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 张磊,沈鸿烈,尤佳毅.温度对快速热退火制备多晶硅薄膜结构与电学性能的影响[J].人工晶体学报,2012,41(5):1186-1189. |
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| 作者姓名： | 张磊 沈鸿烈 尤佳毅 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016 |
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| 基金项目： | 江苏高校优势学科建设工程资助项目，中央高校基本科研业务费专项资金资助，江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目 |
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| 摘 要： | 采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理.利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化；用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和扫描电子显微镜研究了硅薄膜的结构性能与退火温度的关系；利用电导率测试研究了硅薄膜的电学性能对退火温度的依赖性.研究发现,脱氢处理可以有效的抑制快速热退火引起的硅薄膜中微裂纹的出现.随着退火温度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的结晶性逐渐升高,在1100℃下快速热退火15 s制备的多晶硅薄膜的晶化率高达96.7;.同时,硼掺杂硅薄膜的电导率也由700℃退火的1.39×10-6 S·cm-1提高至1100℃退火的16.41 S·cm-1,增大了7个数量级.
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| 关 键 词： | 快速热退火 多晶硅薄膜 结晶性能 电导率 |
Effect of Annealing Temperature on the Structural and Electrical Properties of Poly-Si Films Prepared by Rapid Thermal Annealing |
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| ZHANG Lei
,
SHEN Hong-lie
,
YOU Jia-yi.Effect of Annealing Temperature on the Structural and Electrical Properties of Poly-Si Films Prepared by Rapid Thermal Annealing[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(5):1186-1189. |
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| Authors: | ZHANG Lei SHEN Hong-lie YOU Jia-yi |
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