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Zn-Mg-Se-I2系统生长ZnMgSe单晶及其特征
引用本文:付泽华,李焕勇,李辉斌.Zn-Mg-Se-I2系统生长ZnMgSe单晶及其特征[J].人工晶体学报,2012,41(5):1174-1179.
作者姓名:付泽华  李焕勇  李辉斌
作者单位:西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863)
摘    要:以高纯的Zn、Mg以及Se2单质为生长原料,加入高纯的碘单质作为反应输运剂,采用化学气相输运(CVT)方法成功制备了ZnMgSe单晶,并且分别采用X射线衍射、双晶衍射、紫外可见分光光度计、红外光谱仪以及光致发光(PL)技术研究了晶体的结构、结晶质量以及光学性质.结果表明,制备的单晶结晶性能良好,在500 ~ 1500 nm波长范围内的透过率接近50;,在400 ~ 4000 cm-1波长范围内的透过率达到42;,在2.0~2.6 eV范围内有三个明显的空位与杂质发光带.以Zn、Mg及Se2单质为生长原料,在输运剂I2的帮助下可以实现ZnMgSe单晶的生长.

关 键 词:ZnMgSe单晶  气相生长  输运剂  光学性质  

Growth and Characterization of ZnMgSe Single Crystals from Zn-Mg-Se-I2 System
FU Ze-hua , LI Huan-yong , LI Hui-bin.Growth and Characterization of ZnMgSe Single Crystals from Zn-Mg-Se-I2 System[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(5):1174-1179.
Authors:FU Ze-hua  LI Huan-yong  LI Hui-bin
Abstract:
Keywords:
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