| 硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化 |
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| 引用本文： | 单文光,谢正芳,吴小山,张凤鸣.硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化[J].人工晶体学报,2012,41(5):1168-1173. |
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| 作者姓名： | 单文光 谢正芳 吴小山 张凤鸣 |
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| 作者单位： | 南京大学物理学院光伏工程中心,南京大学微结构物理国家重点实验室,南京210093 |
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| 基金项目： | 南京大学固体微结构物理国家重点实验室自主创新课题基金 |
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| 摘 要： | 针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响.分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征.结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5～7 μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018 ～9 ×1018 cm-3,当掺杂浓度大于5×1019 cm-3,P+层最佳深度将小于1μm.
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| 关 键 词： | 硅太阳能电池 铝背场 性能模拟 PC1D |
Simulation Optimization of P+ Layer of Back Surface Field for Crystalline Silicon Solar Cell by Simulation |
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| SHAN Wen-guang
,
XIE Zheng-fang
,
WU Xiao-shan
,
ZHANG Feng-ming.Simulation Optimization of P+ Layer of Back Surface Field for Crystalline Silicon Solar Cell by Simulation[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(5):1168-1173. |
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| Authors: | SHAN Wen-guang XIE Zheng-fang WU Xiao-shan ZHANG Feng-ming |
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