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| 硅表面有机单分子膜的新表征方法──界面微分电容测量法 | |
| 引用本文： | 孙乔玉,力虎林. 硅表面有机单分子膜的新表征方法──界面微分电容测量法[J]. 高等学校化学学报, 2003, 24(1): 86-90 |
| 作者姓名： | 孙乔玉 力虎林 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学化学化工学院,兰州,730000;Laboratoire de Physique des Liquides et Electrochimie,CNRS-UPR 15 Conventionnée avec l′Université P & M Curie, 4 place Jussieu, Tour 22, 75005 Paris 2. Laboratoire de Physique des Liquides et Electrochimie,CNRS-UPR 15 Conventionnée avec l′Université P & M Curie, 4 place Jussieu, Tour 22, 75005 Paris 3. 兰州大学化学化工学院,兰州,730000 |
| 基金项目： | 兰州大学博士科研启动基金资助 |
| 摘 要： | 提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法.通过对新制备的H-Si(111)表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面/电解液界面的微分电容的研究,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系.实践证明这是一个简便、快速和有效的实验技术,为硅表面化学修饰与功能化研究提供了一个非常有力的工具. |
| 关 键 词： | 硅表面单分子膜 微分电容 表征方法 |
| 文章编号： | 0251-0790(2002)01-0086-05 |
| 收稿时间： | 2001-09-04 |
A New Technique of the Characterization of Monolayers on Silicon Surfaces Measure of the Differential Capacity of Interfaces |
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| Catherine Henry de Villeneuve,Philippe Allongue. A New Technique of the Characterization of Monolayers on Silicon Surfaces Measure of the Differential Capacity of Interfaces[J]. Chemical Research In Chinese Universities, 2003, 24(1): 86-90 | |
| Authors: | Catherine Henry de Villeneuve Philippe Allongue |
| Affiliation: | 1. College of Chemistry and Chemical Engineering, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China; 2. Laboratoire de Physique des Liquides et Electrochimie, CNRS-UPR 15 Conventionnée avec l′Université P &; M Curie, 4 place Jussieu, Tour 22, 75005 Paris |
| Abstract: | We suggest a new technique to characterize the organic monolayers on silicon surfacesmeasurement of the differential capacity-electrode potential curve. By means of the investigation of differential capacity of a series of alkenes-modified silicon surfaces and H-Si(111)/electrolyte interfaces, we have established the relationship between the structure of the organic monolayers on silicon surfaces and their interface differential capacity. It has been confirmed to be a simple, quick, and effective experimental technique for the research of chemical modifications and functions on the silicon surfaces. |
| Keywords: | Monolayers on silicon surfaces Differential capacity Characteristic technique |
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