| ZnS∶Er电致发光中SiO_2与ZnS电子加速能力的比较 |
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| 作者姓名： | 张福俊 徐征 刘玲 孟立建 |
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| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所，北京交通大学光电子技术研究所，北京交通大学光电子技术研究所，波尔图理工大学工程学院 北京100044，北京100044 波尔图理工大学工程学院，波尔图4200-072，葡萄牙，北京100044，波尔图4200-072葡萄牙 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2003CB314707)，国家自然科学基金(10374001)，中国博士后科学基金(2003034324)，北京市科技新星计划(2004B10)，北京市自然科学基金(2032015)，攀登计划(PD270)资助项目 |
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| 摘 要： | 在分层优化结构和固态阴极射线发光中,从电极注入的电子经电子加速层加速后获得更高能量成为过热电子,过热电子碰撞激发发光中心引起发光,其中SiO2在提高过热电子的能量方面有非常重要的作用。ZnS作为电子加速层时,也发现了固态阴极射线发光,但其发光的亮度及稳定性都不及SiO2作为电子加速层的器件。通过比较ZnS∶Er在正弦交流电驱动下的正负半周内的亮度变化,得出ZnS与SiO2的电子加速能力的相对大小。实验结果表明:SiO2的电子加速能力是ZnS的2.18倍。
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| 关 键 词： | 电子加速 固态阴极射线发光 稀土 |
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