| 高能球磨和低温烧结制备高电位梯度ZnO厚膜压敏电阻 |
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| 引用本文： | 柯磊,马学鸣. 高能球磨和低温烧结制备高电位梯度ZnO厚膜压敏电阻[J]. 中国稀土学报, 2011, 29(2) |
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| 作者姓名： | 柯磊 马学鸣 |
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| 作者单位： | 1. 上海电机学院数理研究所,上海,200240
2. 华东师范大学物理系精密光谱科学与技术国家重点实验室,上海,200062 |
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| 基金项目： | 上海市纳米专项基金，上海市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 通过高能球磨和低温烧结,制备出高电位梯度的ZnO厚膜压敏电阻,并研究了烧结温度对厚膜试样电学性能的影响.结果表明,高能球磨可显著细化粉体颗粒,球磨后颗粒的平均尺寸减小到0.420μm;颗粒的高度细化促使厚膜可在650-850℃的低温范围烧结成瓷,其中在700℃的烧结条件下,厚膜试样的综合性能最佳,电位梯度达到3175.6 V·mm-1,漏电流为30.7μA,非线性系数为13,微观势垒高度为0.79eV,耗尽层宽度为14.4nm,施主浓度为2.24×1018cm-3,表面态密度为3.22×1012cm-2.
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| 关 键 词： | ZnO厚膜压敏电阻 高电位梯度 高能球磨 低温烧结 稀土 |
Preparation of High Potential Gradient ZnO-Based Thick-Film Varistors by High-Energy Ball Milling and Low-temperature Sintering |
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| Ke Lei,Ma Xueming. Preparation of High Potential Gradient ZnO-Based Thick-Film Varistors by High-Energy Ball Milling and Low-temperature Sintering[J]. Journal of the Chinese Society of Rare Earths, 2011, 29(2) |
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| Authors: | Ke Lei Ma Xueming |
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