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ITO前驱物氢氧化铟In(OH)3理论研究
引用本文:张维佳,王天民. ITO前驱物氢氧化铟In(OH)3理论研究[J]. 物理学报, 2004, 53(6)
作者姓名:张维佳  王天民
作者单位:北京航空航天大学理学院,北京,10083
摘    要:
分析了铟锡氧化物IT0 (IndiumTinOxide)前驱体氢氧化铟In(OH) 3的结构 ,理论计算了其马德隆常数和晶格能 ,其值分别为 2 94 88和 - 5 0 95 2 1kJ mol,并给出了晶核表面自由能近似公式和晶核生长率的近似表达式 ,进而计算了采用化学沉淀法制备In(OH) 3纳米粉末时的晶核形成参数 ,In(OH) 3晶核生长初期的生长率约为 0 0 1 2nm s.

关 键 词:纳米粉末  In(OH)3  表面自由能  晶核生长

Study of indium trihydroxide In(OH)3 for ITO
Zhang Wei Jia Wang Tian Min. Study of indium trihydroxide In(OH)3 for ITO[J]. Acta Physica Sinica, 2004, 53(6)
Authors:Zhang Wei Jia Wang Tian Min
Abstract:
The structure of indium trihydroxide In(OH) 3 for ITO(Indium Tin Oxide) has been analysed, the Madelung constant and lattice energy of In(OH) 3 have been calculated, they are 2 9488 and -5095 21kJ/mol respectively, and a surface energy approximative expression is given, and then ulteriorly In(OH) 3 crystal granule parameters are calculated in preparing nanosized In(OH) 3 powder using the method of chemical precipitation,the growth rate 0 012nm/s about is given in this paper.
Keywords:nanosized powder   In(OH) 3   surface energy   crystal granule growth
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