| 功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制 |
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| 引用本文： | 崔嵩,黄岸兵,张浩.功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制[J].真空电子技术,2002(3):60-63. |
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| 作者姓名： | 崔嵩 黄岸兵 张浩 |
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| 作者单位： | 华东微电子技术研究所,安徽,合肥,230022 |
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| 摘 要： | 阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷基板。
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| 关 键 词： | 氮化铝陶瓷 烧结 平整性 热导率 |
| 文章编号： | 1002-8935(2002)03-0060-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月30日 |
Aluminium Nitride Ceramic Substrates for Power Device |
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| CUI Song,HUANG An bing,ZHANG Hao.Aluminium Nitride Ceramic Substrates for Power Device[J].Vacuum Electronics,2002(3):60-63. |
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| Authors: | CUI Song HUANG An bing ZHANG Hao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Aluminum Nitride ceramics Sinter Flatness Thermal conductivity |
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