| Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 |
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| 引用本文： | 胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生. Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长[J]. 发光学报, 2005, 26(4): 517-520,i0002 |
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| 作者姓名： | 胡加辉 朱军山 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 |
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| 作者单位： | 深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;河北工业大学,天津,300130;河北工业大学,天津,300130 |
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| 基金项目： | 广东省深圳市科技计划;广东省关键领域重点突破项目 |
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| 摘 要： | 利用LP-MOCVD在Si（111）衬底上，以高温AIN为缓冲层，分别用低温GaN（LT-GaN）和偏离化学计量比富Ga高温GaN（HT-GaN）为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD），扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和室温光致荧光光谱（RT-PL）进行分析。结果表明，有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜，得到GaN（0002）和（1012）的DCXRD峰，其半峰全宽（FWHM）分别为698s和842s，室温下的光致荧光光谱在361nm处有一个很强的发光峰，其半峰全宽为44．3meV。
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| 关 键 词： | 氮化镓 Si(111) 金属有机化学气相沉积 双晶X射线衍射 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）04-0517-04 |
| 收稿时间： | 2004-06-24 |
| 修稿时间： | 2004-06-242004-11-11 |
GaN Growth on Si(111) by MOCVD |
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| HU Jia-hui,ZHU Jun-shan,FENG Yu-chun,ZHANG Jian-bao,LI Zhong-hui,GUO Bao-ping,XU Yue-sheng. GaN Growth on Si(111) by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005, 26(4): 517-520,i0002 |
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| Authors: | HU Jia-hui ZHU Jun-shan FENG Yu-chun ZHANG Jian-bao LI Zhong-hui GUO Bao-ping XU Yue-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si(111) |
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