| 微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜 |
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| 引用本文： | 江锦春,程文娟,张阳,朱鹤孙,沈德忠.微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜[J].人工晶体学报,2004,33(6):930-934,939. |
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| 作者姓名： | 江锦春 程文娟 张阳 朱鹤孙 沈德忠 |
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| 作者单位： | 清华大学化学系,功能晶体与薄膜研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β C3N4相
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| 关 键 词： | 立方 晶体薄膜 衬底温度 微波等离子体化学气相沉积 原子 喇曼光谱 晶相 β-C3N4 结晶质量 X射线能谱 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)06-0930-05 |
Preparation of Crystalline Carbon Nitride Films by Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition |
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| JIANG Jin-chun,CHENG Wen-juan,ZHANG Yang,ZHU He-sun,SHEN De-zhong.Preparation of Crystalline Carbon Nitride Films by Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(6):930-934,939. |
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| Authors: | JIANG Jin-chun CHENG Wen-juan ZHANG Yang ZHU He-sun SHEN De-zhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | C_3N_4 crystallites MPCVD thin film |
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