| 溅射工艺参数对AgInSbTe相变薄膜光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 李进延,侯立松,阮昊,谢泉,干福熹. 溅射工艺参数对AgInSbTe相变薄膜光学性质的影响[J]. 光学学报, 2001, 21(5): 38-640 |
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| 作者姓名： | 李进延 侯立松 阮昊 谢泉 干福熹 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金! (5 9832 0 6 0 )，中国科学院九五基础性研究基金! (KJ95 1 B1 70 1)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射工艺，在K9玻璃片上用Ag-In-Sb-Te合金靶制备了相变薄膜，对沉积态薄膜在300℃下进行了热处理，测量了薄膜的光学性质。通过改变本底气压，溅射气压及溅射功率，研究了工艺参数对薄膜光学性质的影响，实验表明，本底气压，溅射气压及射功率综合决定了AgInSbTe薄膜的光学性质，对AgInSbTe薄膜的制备，选择较高的本底真空度，适当的溅射气压及溅射功率是非常重要的。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 AgInSbTe相变薄膜 光学性质 存储技术 |
Effects of Sputtering Technical Parameters on Optical Properties of AgInSbTe Phase-Change Films |
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| Li Jinyan Hou Lisong Ruan Hao Xie Quan Gan Fuxi. Effects of Sputtering Technical Parameters on Optical Properties of AgInSbTe Phase-Change Films[J]. Acta Optica Sinica, 2001, 21(5): 38-640 |
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| Authors: | Li Jinyan Hou Lisong Ruan Hao Xie Quan Gan Fuxi |
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| Keywords: | RF magnetron sputtering AgInSbTe phase change films optical properties |
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