| 衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响 |
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| 引用本文： | 吕宏强,王杰,沈军,刘咏,王迅,王昌平,王建宝,李晨,沈孝良.衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响[J].物理学报,1992,41(8):1308-1314. |
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| 作者姓名： | 吕宏强 王杰 沈军 刘咏 王迅 王昌平 王建宝 李晨 沈孝良 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;复旦大学物理系,上海200433;复旦大学物理系,上海200433;复旦大学物理系,上海200433;复旦大学分析测试中心,上海200433 |
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| 摘 要： | 用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。
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| 收稿时间： | 7/8/1991 12:00:00 AM |
EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON ZnSe FILMS GROWN BY HOT WALL EPITAXY |
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