首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      


Studies on catalytically active surface compounds, IX. Formation of O2? radicals on VCl4/SiO2 catalysts
Authors:R Fricke  H -G Jerschkewitz  V B Kazanskii  V A Shvets and G Öhlmann
Institution:(1) Central Institute of Physical Chemistry, Academy of Sciences of the GDR, Berlin-Adlershof, GDR;(2) Zelinskii Institute of Organic Chemistry, Academy of Sciences of the USSR, Moscow, USSR
Abstract:The conditions for the formation of O 2 on VCl4/SiO2 catalysts have been investigated. It is shown that thermal vacuum treatment (TVT) of unhydrolyzed catalysts leads to partial hydrolysis of the surface vanadium complex caused by the silanol groups of the support. The ability of the catalysts to generate O 2 radicals was found to depend on the degree of hydrolysis caused by thermal vacuum treatment.
Bcyycylcyicy icyscyscylcyiecydcyocyvcyacyncyycy ucyscylcyocyvcyicyyacy ocybcyrcyacyzcyocyvcyacyncyicyyacy O 2 ncyacy kcyacytcyacylcyicyzcyacytcyocyrcyacykhcy VCl4/SiO2. Bcyycylcyocy pcyocykcyacyzcyacyncyocy, chcytcyocy tcyiecyrcymcyicychcyiecyscykcyacyyacy vcyacykcyucyucymcyncyacyyacy ocybcyrcyacybcyocytcykcyacy ncyiecygcyicydcyrcyocylcyicyzcyocyvcyacyncyncyycykhcy kcyacytcyacylcyicyzcyacytcyocyrcyocyvcy pcyrcyicyvcyocydcyicytcy kcy chcyacyscytcyicychcyncyocymcyucy gcyicydcyrcyocylcyicyzcyucy pcyocyvcyiecyrcykhcyncyocyscytcyncyocygcyocy vcyacyncyacydcyicyiecyvcyocygcyocy kcyocymcypcylcyiecykcyscyacy, vcyycyzcyvcyacyncyncyocymcyucy scyicylcyacyncyocylcysoftcyncyycymcyicy gcyrcyucypcypcyacymcyicy ncyocyscyicytcyiecylcyyacy. Bcyycylcyocy ncyacyjcydcyiecyncyocy, chcytcyocy scypcyocyscyocybcyncyocyscytcysoftcy kcyacytcyacylcyicyzcyacytcyocyrcyocyvcy gcyiecyncyiecyrcyicyrcyocyvcyacytcysoftcy rcyacydcyicykcyacylcyycy O 2 zcyacyvcyicyscyicytcy ocytcy scytcyiecypcyiecyncyicy gcyicydcyrcyocylcyicyzcyacy, vcyycyzcyvcyacyncyncyocygcyocy tcyiecyrcymcyicychcyiecyscykcyocyjcy vcyacykcyucyucymcyncyocyjcy ocybcyrcyacybcyocytcykcyocyjcy.
Keywords:
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号