| 光照强度和掺杂浓度对多孔硅形貌和电化学行为的影响 |
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| 引用本文： | 赵景勇,闫康平,薛娱静,孙羽涵. 光照强度和掺杂浓度对多孔硅形貌和电化学行为的影响[J]. 化学通报, 2015, 78(1) |
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| 作者姓名： | 赵景勇 闫康平 薛娱静 孙羽涵 |
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| 作者单位： | 四川大学化学工程学院 成都 610065 |
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| 摘 要： | 测试分析了光照强度和掺杂浓度对n型硅电极电化学特性的影响。采用电化学阳极腐蚀法在光照辅助下制备多孔硅(PS),通过扫描电镜研究掺杂浓度对PS表面微观形貌的影响,通过积分球测试仪测试研究了PS对光的反射率。结果表明,对于n型硅,光照是激发空穴的必要手段,光照强度越强,硅/电解液界面的电荷转移阻抗越小,更利于反应的进行;掺杂浓度越高,电化学极化阻力越小,促进PS孔密度增加。本实验条件下,形成的PS是微米级孔,随着掺杂浓度的增加,形成的PS孔径越小,孔深存在一个极值;电阻率为0.35Ω·cm的硅片拥有最大的孔深13μm;PS的孔结构大大提升了硅基对光子的捕获能力,相比于单晶硅,在可见-近红外范围,电阻率为0.0047Ω·cm的硅片制备的n-PS对光的反射率已经从30%降低到了5%。
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| 关 键 词： | 电化学特性 n型多孔硅 掺杂浓度 光照强度 反射率 |
Effect of Illumination Intensity and Doping Concentration on the Morphology and Electrochemical Characteristics of Porous Silicon |
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| Zhao Jingyong,Yan Kangping,Xue Yujing,Sun Yuhan. Effect of Illumination Intensity and Doping Concentration on the Morphology and Electrochemical Characteristics of Porous Silicon[J]. Chemistry, 2015, 78(1) |
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| Authors: | Zhao Jingyong Yan Kangping Xue Yujing Sun Yuhan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Electrochemical characteristics n-PS Doping concentration Illumination intensity Reflectivity |
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