巴工管涂层条件下金刚石薄膜生长研究 |
| |
引用本文: | 高玉宝,高志栋.巴工管涂层条件下金刚石薄膜生长研究[J].人工晶体学报,1996,25(4):308-311. |
| |
作者姓名: | 高玉宝 高志栋 |
| |
摘 要: | 采用热丝CVD法,以H2和CH4混合气体为气体源,在涂有巴基管的单晶硅基底上,对金刚石薄膜生长进行了优化工艺参数实验。对所得薄膜进行了X射线衍射、Raman光谱和SEM检测,结果表明,在适宜的钨丝功率和基底温度条件下,以巴基管为涂层,在硅基底上能快速生成优质的金刚石薄膜,并且金刚石晶形随积时间的延长呈现聚晶倾向。
|
关 键 词: | 化学气相沉积 金刚石薄膜 巴基球 CVD法 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|