Electrical behavior of amorphous indium–gallium–zinc oxide thin film transistors by embedding Au nanoparticles in the channel layer 期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

Electrical behavior of amorphous indium–gallium–zinc oxide thin film transistors by embedding Au nanoparticles in the channel layer

摘要：
收稿时间：	2014-02-19
修稿时间：	2014-09-14
本文献已被 ScienceDirect 等数据库收录！