| 硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究 |
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| 引用本文： | 索开南,张维连,赵嘉鹏,周子鹏.硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究[J].人工晶体学报,2007,36(3):578-583. |
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| 作者姓名： | 索开南 张维连 赵嘉鹏 周子鹏 |
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| 作者单位： | 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130 |
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| 摘 要： | 作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200～600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响.
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| 关 键 词： | Seebeck系数 硅锗合金 热电材料 各向异性 热电转换 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）03-0578-06 |
| 修稿时间： | 2006-12-25 |
Thermoelectric Properties of Czochralski GeSi Crystal |
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| SUO Kai-nan,ZHANG Wei-lian,ZHAO Jia-peng,ZHOU Zi-peng.Thermoelectric Properties of Czochralski GeSi Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(3):578-583. |
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| Authors: | SUO Kai-nan ZHANG Wei-lian ZHAO Jia-peng ZHOU Zi-peng |
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| Institution: | Semiconductor Material Institute, Hebei University of Technology,Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Seebeck coefficient SiGe alloy thermoelectric material anisotropy thermoelectric conversion |
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