| 中远红外非线性光学晶体AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2研究进展 |
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| 引用本文： | 赵北君,朱世富,何知宇,陈宝军. 中远红外非线性光学晶体AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2研究进展[J]. 人工晶体学报, 2012, 0(Z1): 74-79 |
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| 作者姓名： | 赵北君 朱世富 何知宇 陈宝军 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(59172073);国家高技术研究发展计划(863)(715-04-01-04);教育部博士点基金(20040610024) |
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| 摘 要： | 综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材料,在三温区立式炉中用坩埚旋转下降法生长出AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2等系列单晶体,X射线单晶衍射谱和回摆谱表明晶体的结晶性好,结构完整;红外透过率接近理论值,吸收系数低于0.017 cm-1,表明生长的晶体光学质量高。研究出一种新的能对AgGa1-xInxSe2晶体(112)晶面进行择优腐蚀的腐蚀剂:(30 g CrO3+10 mL H2O)∶H4PO4(85%)∶HNO3(65～68%)∶HF(40%)=10∶10∶10∶2(体积比),在60℃下腐蚀40 min,能够清晰地显示出AgGa1-xInxSe2晶体(112)面取向一致的三角形腐蚀坑,边界清晰,蚀坑密度大约为105/cm2数量级。采用自行研制的晶体定向切割新方法,加工出AgGa1-xInxSe2-OPO器件,获得了3～5μm的激光输出,光-光转换效率达21%。
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| 关 键 词： | 中远红外非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaSe2 AgGa1-xInxSe2 多晶合成 单晶生长 OPO |
Research Progress of Middle and Far Infrared Nonlinear Optical Crystals AgGaS2,AgGaSe2 and AgGa1-xInxSe2 |
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| ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,HE Zhi-yu,CHEN Bao-jun. Research Progress of Middle and Far Infrared Nonlinear Optical Crystals AgGaS2,AgGaSe2 and AgGa1-xInxSe2[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 0(Z1): 74-79 |
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| Authors: | ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu HE Zhi-yu CHEN Bao-jun |
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| Affiliation: | (Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China) |
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| Abstract: | |
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