| 折叠插值ADC边界效应的研究 |
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| 引用本文： | 张宝娣,邓红辉,胡逸俊.折叠插值ADC边界效应的研究[J].微电子学,2019,49(5):602-608. |
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| 作者姓名： | 张宝娣 邓红辉 胡逸俊 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230009,合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230009,合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230009 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JD2016JGPY0003) |
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| 摘 要： | 基于折叠插值ADC的研究,改善了平均电阻网络造成的边界效应。采用环形平均电阻网络、边界阻值取为等效电阻的方法来解决边界效应,同时提出了一种新型的边界折叠器结构。该结构应用于第一级边界折叠结构,能有效补偿边界过零点偏移,得到趋于准确的边界过零点,提高了ADC性能。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,在改善边界效应后对ADC进行仿真。结果表明,该ADC的ENOB为9.11 bit,SFDR为61.69 dB。
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| 关 键 词： | 折叠插值ADC 边界效应 折叠器 平均电阻 |
| 收稿时间： | 2018/11/28 0:00:00 |
Research on Boundary Effects of Folding-Interpolating ADC |
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| ZHANG Baodi,DENG Honghui and HU Yijun.Research on Boundary Effects of Folding-Interpolating ADC[J].Microelectronics,2019,49(5):602-608. |
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| Authors: | ZHANG Baodi DENG Honghui and HU Yijun |
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| Institution: | Institute of VLSI design,Hefei University of Technology,Hefei 230009,P. R. China,Institute of VLSI design,Hefei University of Technology,Hefei 230009,P. R. China and Institute of VLSI design,Hefei University of Technology,Hefei 230009,P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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