| 基于silvaco-TCAD的In0.53Ga0.47As/InP红外探测器的仿真 |
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| 引用本文： | 陈豪,肖清泉,袁正兵,王坤,黎业羽,史娇娜,谢泉,陆书龙.基于silvaco-TCAD的In0.53Ga0.47As/InP红外探测器的仿真[J].低温物理学报,2018(6):1-7. |
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| 作者姓名： | 陈豪 肖清泉 袁正兵 王坤 黎业羽 史娇娜 谢泉 陆书龙 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳550025,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室，苏州 215123 |
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| 摘 要： | 采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光电探测器，对探测器的结构参数对器件的电场分布、击穿电压和贯穿电压的影响进行仿真分析。研究表明电荷层对器件内部电场起到更好的调节作用，但过高的电荷层面密度会导致APD探测器的击穿电压与贯穿电压之差减小。倍增层厚度的增加使击穿电压先减小后增高，贯穿电压线性增加，同时耗尽层宽度变大，使器件电容减小。当倍增区厚度1 μm、偏压为-5 V时，器件电容密度达到了4.5×10-17 F/μm。反向偏置电压为30 V时，APD探测器在1.31 μm和1.55 μm波长下的响应度分别达到1 A/W和1.1 A/W
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| 关 键 词： | In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD探测器 InP倍增层 击穿电压 贯穿电压 |
Simulation on The In0.53Ga0.47As/InP Infrared Detectors by Silvaco-TCAD |
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| CHEN Hao,XIAO Qingquan,YUAN Zhengbing,WANG Kun,LI Yeyu,SHI Jiaon,XIE Quan and LU Shulong.Simulation on The In0.53Ga0.47As/InP Infrared Detectors by Silvaco-TCAD[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2018(6):1-7. |
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| Authors: | CHEN Hao XIAO Qingquan YUAN Zhengbing WANG Kun LI Yeyu SHI Jiaon XIE Quan and LU Shulong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In0 53Ga0 47As/InP SAGCM-APD detector the InP multiplication layer breakdown voltage punch-through voltage |
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