| 若干In2Se3化合物的晶体结构与电子特性 |
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| 引用本文： | 汪垒,刘惠军. 若干In2Se3化合物的晶体结构与电子特性[J]. 低温物理学报, 2019, 41(4): 229-240 |
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| 作者姓名： | 汪垒 刘惠军 |
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| 作者单位： | 教育部人工微结构重点实验室,武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072;教育部人工微结构重点实验室,武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072 |
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| 摘 要： | In_2Se_3是一种常见的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体,在不同温度下可表现出不同的物相,对应的晶格参数与物理性质也会有所不同.在过去几十年间,In_2Se_3的多相性引起了人们的关注,各物相的晶体结构被广泛地研究.近年来,研究发现α-In_2Se_3具有优异的光电、压电性能以及独特的铁电性能,可以预见它将在未来的半导体电子器件中发挥出重要的作用.本文综述了一系列In_2Se_3化合物的晶体结构与电子特性,我们首先简要介绍了这些In_2Se_3化合物的基本知识,接着详细讨论了它们的晶体结构与电子特性,最后对In_2Se_3化合物的研究前景进行了展望.
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| 关 键 词： | In2Se3化合物 晶体结构 电子特性 |
Crystal Structures and Electronic Properties ofSeveralIn2Se3 Compounds |
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| Wang Lei and Liu Huijun. Crystal Structures and Electronic Properties ofSeveralIn2Se3 Compounds[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 2019, 41(4): 229-240 |
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| Authors: | Wang Lei and Liu Huijun |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Artificial Micro-and Nano-Structures of Ministryof Education and School of Physics and Technology , Wuhan University , Wuhan 430072, China and Key Laboratory of Artificial Micro-and Nano-Structures of Ministryof Education and School of Physics and Technology , Wuhan University , Wuhan 430072, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In2Se3 compounds crystal structures electronic properties |
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