| 半超结抑制RC-TIGBT Snapback效应机理与仿真 |
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| 引用本文： | 陆素先,向超,王森,钟传杰.半超结抑制RC-TIGBT Snapback效应机理与仿真[J].微电子学,2019,49(4):563-567. |
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| 作者姓名： | 陆素先 向超 王森 钟传杰 |
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| 作者单位： | 江南大学 物联网工程学院, 江苏 无锡 214122,机械工业第六设计研究院, 郑州 450007,江南大学 物联网工程学院, 江苏 无锡 214122,江南大学 物联网工程学院, 江苏 无锡 214122 |
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| 基金项目： | 国家青年基金资助项目(61504049) |
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| 摘 要： | 首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究。通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度与N+短路区宽度等关键参数对Snapback效应的影响。结果表明,回退电压点随着Ydrift的减小而减小,且与Ydrift呈线性关系。对于底部集电极尺寸而言,回退电压点与P-集电区宽度有关,与N+短路区宽度基本无关。基于仿真结果,给出半超结RC-TIGBT的等效电路,并详细分析了半超结技术能抑制Snapback效应的原因。最后,对半超结RC-TIGBT的结构参数进行设计,提出一种能减小Snapback效应的有效方法。
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| 关 键 词： | 逆导IGBT 超结 负阻效应 集电极尺寸 |
| 收稿时间： | 2018/10/22 0:00:00 |
Mechanism and Simulation of Semi-Super-Junction Suppressing Snapback Effect of RC-TIGBT |
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| LU Suxian,XIANG Chao,WANG Sen and ZHONG Chuanjie.Mechanism and Simulation of Semi-Super-Junction Suppressing Snapback Effect of RC-TIGBT[J].Microelectronics,2019,49(4):563-567. |
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| Authors: | LU Suxian XIANG Chao WANG Sen and ZHONG Chuanjie |
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| Institution: | College of Internet of Things, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P.R.China,SIPPR Engineering Group Co., Ltd., Zhengzhou 450007, P.R.China,College of Internet of Things, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P.R.China and College of Internet of Things, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RC-IGBT super-junction snapback effect collector size equivalent circuit |
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