| 分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究 |
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| 引用本文： | 胡福义,李爱珍.分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究[J].物理学报,1991,40(6):962-968. |
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| 作者姓名： | 胡福义 李爱珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,上海,200030 |
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| 摘 要： | 对逐层腐蚀的GaAs/Si材料进行喇曼散射实验,研究晶格振动声子谱沿外延生长方向的剖面分布,发现GaAs外延层从表面到界面经历着从双轴张应力到双轴压应力的变化。用Anastassakis等人提出的特殊相关模型对GaAsLO声子的谱形进行分析,发现GaAs外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄(从1μm—500?)是渐渐退化的,这是由于界面失配位错进入外延层所致。对GaAs LO声子与TO声子强度之比分析表明:外延层厚度从3.3μm变化到1μm左右时,其晶体质量并不是简单地随着厚度的减薄而退化,在1.3μm左右外延层晶体质量反而变好。对这种现象做了详细的讨论。
关键词：
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| 关 键 词： | 分子束外延 GaAs Si 喇曼散射 |
| 收稿时间： | 8/6/1990 12:00:00 AM |
RAMAN SCATTERING STUDIES OF MBE-GROWN GaAs/Si |
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| HU FU-YI and LI AI-ZHEN.RAMAN SCATTERING STUDIES OF MBE-GROWN GaAs/Si[J].Acta Physica Sinica,1991,40(6):962-968. |
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| Authors: | HU FU-YI and LI AI-ZHEN |
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| Abstract: | The origin, profiling and interaction of biaxial compressive and tensile stresses in unan-nealed MBE grown GaAs/Si along the growth direction for thickness range of 500?-4.2μm has been studied by Raman Scattering Spectroscopy measurement. The shift asymmetry of the LO phonon peak was investigated in detail.
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