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Pb1—xEuxSeyTe1—y双异质结的分子束外延生长
引用本文:宋航,陈伟立.Pb1—xEuxSeyTe1—y双异质结的分子束外延生长[J].中国稀土学报,1991,9(3):234-237.
作者姓名:宋航  陈伟立
作者单位:中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所 长春 130021,长春 130021,长春 130021,长春 130021
摘    要:用分子束外延技术在P型PbTe100]衬底上成功地生长出Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)/Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)双异质结。为得到发射波长在2~4μm波段的半导体激光器,通过控制有源区Eu的组份(x值)来调节有源区的禁带宽度。经扫描电子显微镜分析及电学特性的测量,证明Pb_(1-x)Eu_xSe_yTe_(1-y)双异质结结构均匀完整,结特性明显。

关 键 词:稀土元素  分子束  外延层  半导体
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