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钆在MgO(110)薄膜上的吸附
作者姓名:孙玉明  徐彭寿
作者单位:中国科学技术大学同步辐射实验室
摘    要:为研究钆在MgO薄膜表面吸附的特性,首先在经硫代乙酰胺(CH3CSNH2)处理的GaAs(100)表面外延生长P型半导体MgO(110)薄膜,然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附,结果发现由于Gd/MgO界面的能够弯曲使Mg2p向高结合能端位移0.4eV,而且从实验结果推断,钆与衬底反应很弱,并且主要以团簇的形式吸附。

关 键 词:  质量作用定律  氧化镁薄膜  吸附  生长  团簇
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