| 星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究 |
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| 引用本文： | 何宝平,张正选,姜景和,王永强.星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究[J].微电子学与计算机,2000,17(2):36-38. |
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| 作者姓名： | 何宝平 张正选 姜景和 王永强 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
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| 摘 要： | 文章研究了ＣＭＯＳ器件＾６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在１００℃温度场下的退火效应。实验发现，辐照后，器件在加温和加偏条件下，可以加速ｎ沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电的退火，而加温浮空偏置条件下有利于ｎ沟器件界面态的退火，但在１００℃温度场中，两种偏置条件都有利于ｐ沟器件氧化物陷阱电荷和界面的退火。
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| 关 键 词： | 辐射效应 剂量率 退火效应 CMOS器件 |
| 修稿时间： | 1999-04-22 |
Research of Radiation Damage and Annealing Effects on CMOS Devices for Space application |
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| HE Bao-ping,ZHANG Zheng-xuan,JIANC Jing-he,WANG Yong-qiang.Research of Radiation Damage and Annealing Effects on CMOS Devices for Space application[J].Microelectronics & Computer,2000,17(2):36-38. |
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| Authors: | HE Bao-ping ZHANG Zheng-xuan JIANC Jing-he WANG Yong-qiang |
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| Institution: | HE Bao-ping ,ZHANG Zheng-xuan
,JIANC Jing-he ,WANG Yong-qiang ;
(Northwest Institute of Nuclear Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Radiation effect Dose rate Annealing effect CMOS device |
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