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| 反射各向异性谱在线监测852nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长 | |
| 引用本文： | 徐华伟,宁永强,曾玉刚,张星,张建伟,张建,张立森.反射各向异性谱在线监测852nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长[J].中国激光,2012,39(5):502010-58. |
| 作者姓名： | 徐华伟 宁永强 曾玉刚 张星 张建伟 张建 张立森 |
| 作者单位： | 徐华伟:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室， 吉林 长春 130033中国科学院研究生院， 北京 100049 宁永强:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室， 吉林 长春 130033 曾玉刚:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室， 吉林 长春 130033 张星:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室， 吉林 长春 130033 张建伟:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室， 吉林 长春 130033中国科学院研究生院， 北京 100049 张建:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室， 吉林 长春 130033中国科学院研究生院， 北京 100049 张立森:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室， 吉林 长春 130033中国科学院研究生院， 北京 100049 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10974012,11074247,61106047,61176045,61106068,51172225,61006054)和国家自然科学基金重点项目(90923037)资助课题。 |
| 摘 要： | 研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852nm半导体激光器。通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和研究了AlGaInAs/AlGaAs界面的外延质量。研究结果表明高温生长可以导致从AlGaInAs量子阱层到AlGaAs势垒层的In析出现象。通过优化生长温度和在AlGaInAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得AlGaInAs/AlGaAs陡峭界面。使用优化后的外延生长条件,外延生长了整个852nm半导体激光器,使用RAS在线监测了激光器的外延生长过程,可以有效地分辨出不同外延层和生长阶段。 |
| 关 键 词： | 激光器 AlGaInAs 反射各向异性谱 金属有机化合物汽相沉积 |
| 收稿时间： | 2011/12/29 |
MOCVD Growth of AlGaInAs/AlGaAs Quantum Well for 852 nm Laser Diodes Studied by Reflectance Anisotropy Spectroscopy |
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| Xu Huawei,Ning Yongqiang,Zeng Yugang,Zhang Xing,Zhang Jianwei,Zhang Jian,Zhang Lisen.MOCVD Growth of AlGaInAs/AlGaAs Quantum Well for 852 nm Laser Diodes Studied by Reflectance Anisotropy Spectroscopy[J].Chinese Journal of Lasers,2012,39(5):502010-58. | |
| Authors: | Xu Huawei Ning Yongqiang Zeng Yugang Zhang Xing Zhang Jianwei Zhang Jian Zhang Lisen |
| Institution: | 1,2(1State Key Laboratory of Luminescence and Application,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun,Jilin 130033,China2Graduate University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China) |
| Abstract: | The influence of the growth temperature and interruption time on the crystal quality of AlGaInAs/AlGaAs quantum well is investigated. The AlGaInAs/AlGaAs quantum well and whole 852 nm laser structures are grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) and photoluminescence (PL) spectra are applied to measure the AlGaInAs/AlGaAs interfaces crystalline quality. The results show that high growth temperature will lead to indium segregation from AlGaInAs quantum well to AlGaAs barrier. By lowering the growth temperature and using of interruption time between AlGaInAs quantum well and AlGaAs barriers, the indium segregation effect can be effectively suppressed. The AlGaInAs/AlGaAs quantum well shows an abrupt interface and good crystalline quality under this growth conditions. With optimizing growth conditions, whole laser structures are grown. All the epilayer and growth process can be distinguished in situ by RAS transient spectra. |
| Keywords: | lasers AlGaInAs reflectance anisotropy spectroscopy metal-organic chemical vapor deposition |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |