| 基于N型纳米晶硅氧电子注入层的钙钛矿发光二极管 |
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| 引用本文： | 黄伟,李跃龙,任慧志,王鹏阳,魏长春,侯国付,张德坤,许盛之,王广才,赵颖,袁明鉴,张晓丹.基于N型纳米晶硅氧电子注入层的钙钛矿发光二极管[J].物理学报,2019(12):263-272. |
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| 作者姓名： | 黄伟 李跃龙 任慧志 王鹏阳 魏长春 侯国付 张德坤 许盛之 王广才 赵颖 袁明鉴 张晓丹 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;薄膜光电子技术教育部工程研究中心;天津市中欧太阳能光伏发电技术联合研究中心;南开大学化学学院 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2018YFB1500103);国家自然科学基金(批准号:61674084);高等学校学科创新引智计划(111计划)(批准号:B16027);天津市科技计划项目(批准号:18ZXJMTG00220);中央高校基本科研业务费(批准号:63191736,ZB19500204)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 钙钛矿材料由于其禁带宽度可调、光致发光量子产率高、色纯高等优点,使得其在发光器件上具有巨大的应用潜力.电子注入材料是钙钛矿发光器件中的重要组成部分,特别是n-i-p型发光器件,其直接影响后面钙钛矿的生长情况.本文通过向钙钛矿发光二极管中引入一种新型电子注入材料,n型纳米晶硅氧(n-ncSiOx:H)借助于n-nc-SiOx:H薄膜平滑的表面,有效地提高了沉积钙钛矿薄膜的结晶质量,同时其能带结构更加匹配,有效地降低了电子的注入势垒.为了进一步提升器件性能,向钙钛矿材料中引入合适比例的甲基溴化胺(MABr)、氯苯反溶剂中引入一定量的苯甲胺(PMA),通过MABr和PMA的协同作用提高了钙钛矿薄膜的覆盖率,降低了钙钛矿薄膜表面的缺陷密度,抑制了钙钛矿薄膜退火过程中的发光猝灭,最终获得了最大电流效率为7.93 cd·A^-1、最大外量子效率为2.13%的n-i-p型钙钛矿发光二极管.
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| 关 键 词： | 钙钛矿 发光二极管 n型纳米晶硅氧 光致发光量子产率 |
Perovskite light-emitting diodes based on n-type nanocrystalline silicon oxide electron injection layer |
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| Huang Wei,Li Yue-Long,Ren Hui-Zhi,Wang Peng-Yang,Wei Chang-Chun,Hou Guo-Fu,Zhang De-Kun,Xu Sheng-Zhi,Wang Guang-Cai,Zhao Ying,Yuan Ming-Jian,Zhang Xiao-Dan.Perovskite light-emitting diodes based on n-type nanocrystalline silicon oxide electron injection layer[J].Acta Physica Sinica,2019(12):263-272. |
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| Authors: | Huang Wei Li Yue-Long Ren Hui-Zhi Wang Peng-Yang Wei Chang-Chun Hou Guo-Fu Zhang De-Kun Xu Sheng-Zhi Wang Guang-Cai Zhao Ying Yuan Ming-Jian Zhang Xiao-Dan |
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| Institution: | (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University,Tianjin 300350,China;Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin,Tianjin 300350,China;Engineering Center of Thin Film Photoelectronic Technology of Ministry of Education,Tianjin 300350,China;Sino-Euro Joint Research Center for Photovoltaic Power Generation of Tianjin,Tianjin 300350,China;Department of Chemistry,Nankai University,Tianjin 300071,China) |
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| Abstract: | Huang Wei;Li Yue-Long;Ren Hui-Zhi;Wang Peng-Yang;Wei Chang-Chun;Hou Guo-Fu;Zhang De-Kun;Xu Sheng-Zhi;Wang Guang-Cai;Zhao Ying;Yuan Ming-Jian;Zhang Xiao-Dan(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University,Tianjin 300350,China;Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin,Tianjin 300350,China;Engineering Center of Thin Film Photoelectronic Technology of Ministry of Education,Tianjin 300350,China;Sino-Euro Joint Research Center for Photovoltaic Power Generation of Tianjin,Tianjin 300350,China;Department of Chemistry,Nankai University,Tianjin 300071,China) |
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| Keywords: | perovskite light-emitting diodes n-type nanocrystalline silicon oxide photoluminescence quantum yields |
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