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非极性GaN薄膜及其衬底材料
引用本文:周健华,周圣明,邹军,黄涛华,徐军,谢自力,韩平,张荣.非极性GaN薄膜及其衬底材料[J].人工晶体学报,2006,35(4):765-771.
作者姓名:周健华  周圣明  邹军  黄涛华  徐军  谢自力  韩平  张荣
作者单位:中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;南京大学物理系,南京,210093
基金项目:中国科学院“百人计划”,国家高技术研究发展计划(No.2004AA311080)资助课题
摘    要:本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.

关 键 词:r面蓝宝石  γ-LiAlO2  a面GaN  m面GaN  
文章编号:1000-985X(2006)04-0765-07
收稿时间:11 18 2005 12:00AM
修稿时间:2005-11-182006-03-12

Nonpolar GaN Films and Their Substrate
ZHOU Jian-hua,ZHOU Sheng-ming,ZOU Jun,HUANG Tao-hua,XUN Jun,XIE Zi-li,HAN Ping,ZHANG Rong.Nonpolar GaN Films and Their Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(4):765-771.
Authors:ZHOU Jian-hua  ZHOU Sheng-ming  ZOU Jun  HUANG Tao-hua  XUN Jun  XIE Zi-li  HAN Ping  ZHANG Rong
Institution:1. Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai 201800, China; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China; 3. Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China
Abstract:
Keywords:
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