高频用低压氧化锌压敏电阻器的研制 |
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引用本文: | 王筱珍,鲍青.高频用低压氧化锌压敏电阻器的研制[J].电子元件与材料,1988(6). |
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作者姓名: | 王筱珍 鲍青 |
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作者单位: | 华中理工大学
(王筱珍),华中理工大学(鲍青) |
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摘 要: | 本文介绍了低频用压敏电阻器的研制结果。为使其主要技术参数C≤100pF,V_(1mA)≤100V、通流容量>400A(8×20μs),本研究从调整工艺、增加Bi_2O_3含量、添加各种玻璃及籽晶等方面进行试验,最终得出:添加7.5wt%硼硅酸铅锌玻璃的试样,其性能最佳并达到上述要求。文中还对各种因素的影响机理进行了分析。
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