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Improved interface properties of an Hf02 gate dielectric GaAs MOS device by using SiNx as an interfacial passivation layer
Authors:
Zhu Shu-Yan
Xu Jing-Ping
Wang Li-Sheng
and Huang Yuan
Institution:
[1]School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China [2]Department of Physics Science and Technology, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China
Abstract:
GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) devices, silicon nitride, interlayer, post-deposition an-nealing
Keywords:
GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) devices
silicon nitride
interlayer
post-deposition an-nealing
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