| GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制 |
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| 引用本文： | 刘欣,魏唯,陈特超. GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制[J]. 电子工业专用设备, 2015, 0(6) |
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| 作者姓名： | 刘欣 魏唯 陈特超 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙,410111 |
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| 摘 要： | 分析了GaN-M OCVD 设备中M O 源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定M O 源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于GaN-M OCVD 中5 种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO 源注入摩尔流量精确控制的解决方案.
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| 关 键 词： | 半导体设备 GaN-金属有机化学气相沉积 金属有机化合物源 注入摩尔流量 |
Accurate Control of MO Source Injected Mol Flow of GaN-MOCVD |
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| LIU Xin,WEI Wei,CHEN Techao. Accurate Control of MO Source Injected Mol Flow of GaN-MOCVD[J]. Equipment for Electronic Products Marufacturing, 2015, 0(6) |
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| Authors: | LIU Xin WEI Wei CHEN Techao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sem iconductor equipm ent G aN-M O C V D M O source injected m olflow |
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