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Nd:YVO4晶体α向生长研究
作者姓名:徐子颉 张国春 赵宗源
作者单位:中国科学院理化技术研究所,北京100080
摘    要:采用固-液两相混合,使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶。

关 键 词:Nd:YVO4晶体 单晶生长 掺杂浓度 提拉法 Y2O3 挥发 降低 多晶 V2O5 Nd2o3
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