含Co半磁半导体中铁杂质的红外吸收光谱 |
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引用本文: | 朱景兵,陆卫,刘普霖,史国良,刘卫军,沈学础,W.Giriat.含Co半磁半导体中铁杂质的红外吸收光谱[J].半导体学报,1992,13(12):729-735. |
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作者姓名: | 朱景兵 陆卫 刘普霖 史国良 刘卫军 沈学础 W.Giriat |
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作者单位: | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,Centra de Fisica.Garacas,Venezuela 上海200083中国科学院半导体研究所.,上海200083,上海200083,上海200083,上海200083 |
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摘 要: | 本文首次报道半磁半导体Zn_(0.97)Co_(0.03)S和Zn_(0.95)Co_(0.05)Se中铁杂质的红外吸收光谱.对Zn_(0.97)Co_(0.03)S:Fe,实验发现了 ZnS中 Fe~(2+d)电子跃迁谱中未观察到的位于 2999.8cm~(-1)的新话线;对Zn_(0.95)Co_(0.05)Se:Fe,实验发现了ZnSe中Fe~(2+d)电子跃迁谱中未观察到的位于2778cm~(-1)的新话线.变温与磁光研究以及理论分析表明,新的吸收谱线起源于Fe~(2+)-Co~(2+)对Fe~(2+d)电子的A_1(~5E)、T_1(~5E)→T_2(~5T_2)跃迁.与d-d电子互作用相比,Co~(2+)引起的晶格畸变对Fe~(2+)跃迁的影响可忽略不计.
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关 键 词: | 吸收光谱 半导体材料 铁 杂质 |
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