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| 锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究 | |
| 引用本文： | 王勤华,陆昉,龚大卫,王建宝,孙恒慧.锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究[J].半导体学报,1995,16(12):905-908. |
| 作者姓名： | 王勤华 陆昉 龚大卫 王建宝 孙恒慧 |
| 作者单位： | 复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭． |
| 关 键 词： | 锗硅合金 量子阱 异质界面 缺陷 半导体 |
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