| SnO2气敏薄膜的制作与性能研究 |
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| 引用本文： | 于国萍,易涛,魏正和,曾志峰. SnO2气敏薄膜的制作与性能研究[J]. 武汉大学学报(理学版), 2003, 49(5): 613-616 |
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| 作者姓名： | 于国萍 易涛 魏正和 曾志峰 |
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| 作者单位： | 1. 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
2. 北京大学,物理学院,北京,100080 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目(2002AB0036) |
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| 摘 要： | 采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜，并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏．使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析，测量了薄膜的吸收光谱和电阻，并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响．结果表明，不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构，退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响：退火温度愈高，薄膜中形成的晶粒越完整，晶化程度愈高；电阻率随着退火温度的升高而降低，考虑到气敏薄膜的敏感性能，本文选取1100℃为最佳退火温度．由于掺杂的影响，在氧化锡的禁带中产生了杂质能级，使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收．
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| 关 键 词： | SnO2气敏薄膜 制作方法 射频溅射法 氧化锡薄膜 薄膜结构 退火温度 敏感性能 金属氧化物半导体 |
| 文章编号： | 1671-8836(2003)05-0613-04 |
| 修稿时间： | 2003-04-10 |
Preparation and Properties Study of SnO2 Thin Films |
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| YU Guo-ping,YI Tao,WEI Zheng-he,ZENG zhi-feng. Preparation and Properties Study of SnO2 Thin Films[J]. JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition, 2003, 49(5): 613-616 |
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| Authors: | YU Guo-ping YI Tao WEI Zheng-he ZENG zhi-feng |
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| Affiliation: | YU Guo-ping~1,YI Tao~2,WEI Zheng-he~1,ZENG zhi-feng~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tin oxide thin films r. f. sputtering annealing infrared spectra |
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