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常规退火与光退火固相晶化的对比
引用本文:靳锐敏,卢景霄,王海燕,张丽伟,王生钊,刘萍,王红娟.常规退火与光退火固相晶化的对比[J].人工晶体学报,2005,34(6):1171-1173.
作者姓名:靳锐敏  卢景霄  王海燕  张丽伟  王生钊  刘萍  王红娟
作者单位:郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
摘    要:为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.

关 键 词:PECVD法  非晶硅薄膜  传统退火炉子  光退火  晶粒大小  拉曼光谱  XRD  SEM  
文章编号:1000-985X(2005)06-1171-03
收稿时间:03 18 2004 12:00AM
修稿时间:2004-03-182005-06-29

Comparison of the Solid-phase Crystallization between Conventional Furnace Annealing and Pulsed Rapid Thermal Method
JIN Rui-min,LU Jing-xiao,WANG Hai-yan,ZHANG Li-wei,WANG Sheng-zhao,LIU Ping,WANG Hong-juan.Comparison of the Solid-phase Crystallization between Conventional Furnace Annealing and Pulsed Rapid Thermal Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(6):1171-1173.
Authors:JIN Rui-min  LU Jing-xiao  WANG Hai-yan  ZHANG Li-wei  WANG Sheng-zhao  LIU Ping  WANG Hong-juan
Institution:Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education of China,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052 ,China
Abstract:
Keywords:PECVD  a-Si:H film  conventional furnace annealing  pulsed rapid thermal method  grain size  Raman spectra  XRD  SEM
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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