| Cu(In,Ga)Se2薄膜电沉积制备及性能研究 |
| |
| 引用本文： | 夏冬林,徐慢,李建庄,赵修建.Cu(In,Ga)Se2薄膜电沉积制备及性能研究[J].人工晶体学报,2006,35(5):1146-1150. |
| |
| 作者姓名： | 夏冬林 徐慢 李建庄 赵修建 |
| |
| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070 |
| |
| 基金项目： | 武汉理工大学校基金(2003XJJ025) |
| |
| 摘 要： | 采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜.研究了不同热处理温度对CIGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能.实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数.
|
| 关 键 词： | Cu(In Ga)Se2(CIGS) 薄膜 电沉积 太阳能电池 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）05-1146-05 |
| 收稿时间： | 10 8 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-10-082006-05-24 |
Study of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films by the Electrodeposition |
| |
| XIA Dong-lin,XU Man,LI Jian-zhuang,ZHAO Xiu-jian.Study of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films by the Electrodeposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(5):1146-1150. |
| |
| Authors: | XIA Dong-lin XU Man LI Jian-zhuang ZHAO Xiu-jian |
| |
| Institution: | Key Laboratory of Silicate Materials Science and Engineering , Ministry of Education, Wuhan University of Technology, Wuhan 430074, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Cu(In Ga)Se_(2)(CIGS) thin films electrodeposition solar cells |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
