Pd/Ge薄膜体系中分形的形成 |
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作者姓名: | 陈志文 谭舜 |
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作者单位: | 中国科技大学结构分析开放实验室,中国科技大学结构分析开放实验室,中国科技大学结构分析开放实验室,中国科技大学结构分析开放实验室,中国科技大学结构分析开放实验室,中国科技大学基础物理中心 |
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摘 要: | 近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。
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关 键 词: | 半导体 钯 锗 薄膜 分形 双层膜 蒸镀 |
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