| AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响 |
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| 引用本文： | 雷双瑛,沈波,张国义.AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响[J].物理学报,2008,57(4). |
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| 作者姓名： | 雷双瑛 沈波 张国义 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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教育部科学技术研究重点项目
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北京市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga025N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦合势垒高度、中间耦合势垒宽度、势阱宽度和势垒掺杂浓度的依赖关系.研究发现,第一奇序子带S1ood与第二偶序子带S2evenISBT波长随着中间耦合势垒高度的降低而变短.当中间耦合势垒高度高于0.62 eV时,Slotld-S:一ISBT吸收系数随着中间耦合势垒的降低而增加.当减小AlxGa1-xN/GaN的DQWs中间耦合势垒宽度时,S1odd-S2evenISBT波长将变短,其吸收系数变大.另一方面,当对称DQWs的势阱宽度大于1.9 nm时,S1odd-S2evenISBT波长随着势阱的变窄而减小,S1odd-S2evenISBT吸收系数随着势阱的变窄而增加.当势垒中的掺杂浓度小于1018/cm3时,S1odd-S2evenISBT波长基本不随掺杂浓度变化,而吸收系数随掺杂浓度的增加而增加.这些结果对于利用DQWs实现工作于光纤通信波段超快的、基于三能级或四能级系统的双色光电子器件的应用具有指导意义.
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| 关 键 词： | 自洽 AlxGa1-xN/GaN双量子阱 子带间跃迁 双量子阱 结构 掺杂浓度 跃迁波长 吸收系数 影响 concentration doping structure Influence absorption coefficient quantum wells 意义 指导 应用 光电子器件 双色 四能级系统 三能级 超快 |
Influence of structure and doping concentration of AlxGa1-xN/GaN double quantum wells on wavelength and absorption coefficient of intersubband transitions |
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| Lei Shuang-Ying,Shen Bo,Zhang Guo-Yi.Influence of structure and doping concentration of AlxGa1-xN/GaN double quantum wells on wavelength and absorption coefficient of intersubband transitions[J].Acta Physica Sinica,2008,57(4). |
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| Authors: | Lei Shuang-Ying Shen Bo Zhang Guo-Yi |
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