Photoacoustic measurements of ion-implanted semiconductors

Summary We have measured photoacoustic-signal amplitude and phase of ion-implanted semiconductors. The main factors which determine the photoacoustic behaviour of implanted samples are the opticalabsorption coefficient and the thermal conductivity of the implanted layer. For the thermal conductivity of such a layer a value has been found like that for vitreous materials. Experimental results are in agreement with theoretical models which describe the photoacoustic response of a two-layer sample.

---

Riassunto Sono state eseguite misure di segnale fotoacustico e di fase in semiconduttori impiantati. Le grandezze che caratterizzano il comportamento fotoacustico di tali sistemi sono il coefficiente di assorbimento ottico e la conducibilità termica dello strato impiantato. Si è trovato per lo strato impiantato una conducibilità termica simile a quella dei vetri. I risultati sperimentali sono in accordo con i modelli teorici che descrivono la risposta fotoacustica di campioni costituiti da due strati.

---

Резюме Измеряются фотоакустические ситналы и фазы в ионно-имплантированных полупроводниках. Основные величины, которые характеризуют фотоакустическое поведение имплантированных образцов, представляют коэффициент оптического поглощения и теплопроводность имплантированного слоя. Для теплопроводности имплантированного слоя получена беличина аналогичная для стеклообразных материалов. Экспериментальные результаты согласуются с теоретнческими моделями, которые описывают фотоакустический отклик для двухслойного образца.

---

---

To speed up publication, the authors of this paper have agreed to not receive the proofs for correction.