|
|||||
|
|
| 集成电路中的物理问题讲座第二讲 硅中的扩散 | |
| 引用本文： | 吴自勤. 集成电路中的物理问题讲座第二讲 硅中的扩散[J]. 物理, 1985, 14(5). |
| 作者姓名： | 吴自勤 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学基础物理中心 |
| 摘 要： | 硅中的扩散和金属中的扩散相比有自己的特点．硅具有金刚石结构这样一种敞形结构（ｏｐｅｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅ），而金属具有密堆积结构．敞形结构中间隙大，使更多的元素能通过填隙机制进行扩散．硅具有禁带，点缺陷在禁带中产生能级，由掺杂引起的费米能级在禁带中的浮动使点缺陷具有不同的荷电态，带电点缺陷的浓度也受费米能级的严重影响．这些特点使硅中的扩散比金属中的扩散复杂得多、丰富得多．低温辐照产生一系列点缺?... |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理》下载全文 | |