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双重加热法合成碳化硅晶须的研究
引用本文:戴长虹,孟永强,赵茹,宋祖伟. 双重加热法合成碳化硅晶须的研究[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(1): 78-81
作者姓名:戴长虹  孟永强  赵茹  宋祖伟
作者单位:青岛建筑工程学院,青岛,266033;河北科技大学,石家庄,050054
基金项目:青岛市四方区科学技术局资助项目 ( 2 0 0 2SZK2 0 1)
摘    要:本文给出了一种低成本、适用于大批量生产碳化硅晶须的新方法,以炭黑和SiO2微粉为原料对用双重加热法合成碳化硅晶须进行了研究.研究表明,利用双重加热技术可以在较低合成温度1300℃下、较短合成时间1.5h内得到平均直径为0.3μm、长度为10~40μm、生成率达81;的碳化硅晶须.

关 键 词:碳化硅  晶须  双重加热,
文章编号:1000-985X(2003)01-0078-04
修稿时间:2002-08-16

Study on Silicon Carbide Whiskers Synthesized by Double-heating Technique
DAI Chang hong ,MENG Yong qiang ,ZHAO Ru ,SONG Zu wei. Study on Silicon Carbide Whiskers Synthesized by Double-heating Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2003, 32(1): 78-81
Authors:DAI Chang hong   MENG Yong qiang   ZHAO Ru   SONG Zu wei
Affiliation:DAI Chang hong 1,MENG Yong qiang 2,ZHAO Ru 1,SONG Zu wei 1
Abstract:
Keywords:SiC  whisker  double heating
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