| Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响 |
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| 引用本文： | 赵霞,孙学峰,范晓娟,吴文彬,朱长飞,李晓光. Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响[J]. 低温物理学报, 1999, 21(6): 2 |
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| 作者姓名： | 赵霞 孙学峰 范晓娟 吴文彬 朱长飞 李晓光 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230031
2. 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家超导中心资助，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响.Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致.在x≥0.19时,ρab(T)在Tc附近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量增大而增大.ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(Δ/T)+bT+c加以描述.电阻率各向异性ρc/ρab随掺杂浓度增大而增大.
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Gd DOPING EFFECT ON THE CARRIER CONCENTRATION AND ANISOTROPIC RESISTIVITIES OF Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy SINGLE CRYSTALS |
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| Zhao Xia,Sun Xue-feng,Fan Xiao-juan,Wu Wen-bin,Zhu Chang-fei,Li Xiao-guang. Gd DOPING EFFECT ON THE CARRIER CONCENTRATION AND ANISOTROPIC RESISTIVITIES OF Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy SINGLE CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 1999, 21(6): 2 |
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| Authors: | Zhao Xia Sun Xue-feng Fan Xiao-juan Wu Wen-bin Zhu Chang-fei Li Xiao-guang |
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